• Главная
• Искатели сокровищ
• Схема металлоискателя
• Монеты ссср

Логические элементы на МЕП-транзисторах

Полевые транзисторы МЕП-типа имеют структуру "металл-полупроводник", их строят на основе арсенида галлия.В сравнении с германием арсенид галлия имеет следующие преимущества: более высокую подвижность электронов в слабых электрических полях; почти в полтора раза шире запрещенную зону, которая обеспечивает высокое удельное сопротивление подкладки; очень малые паразитные емкости между электродами МЕП-транзистора.Схема элемента НЕ на МЕП-транзисторах содержит пассивный транзистор VT1 и входной активный транзистор VT2. Пассивный транзистор VT1 включен по схеме двухполюсника и выполняет роль источника стокового тока, значение которого практически не изменяется в широком диапазоне изменения напряжения между стоком и истоком. К выходу элемента НЕ подключается аналогичный инвертор. Он в статическом режиме представлен эквивалентной схемой из последовательно включенных диода Шоттки и сопротивления между затвором и истоком.Схема двухвходового элемента ИЛИ-НЕ содержит нормально открытый пассивный транзистор VT1, входные нормально закрытые транзисторы VT2 и VT3, включенные параллельно.При подач